GaP
Galliumphosphid (GaP) krystal er et infrarødt optisk materiale med god overfladehårdhed, høj varmeledningsevne og bredbåndstransmission.På grund af dets fremragende omfattende optiske, mekaniske og termiske egenskaber kan GaP-krystaller anvendes i militære og andre kommercielle højteknologiske områder.
| Grundlæggende egenskaber | |
| Krystal struktur | Zink Blend |
| Gruppe af symmetri | Td2-F43m |
| Antal atomer i 1 cm3 | 4,94·1022 |
| Sneglens rekombinationskoefficient | 10-30cm6/s |
| Debye temperatur | 445 K |
| Massefylde | 4,14 g cm-3 |
| Dielektrisk konstant (statisk) | 11.1 |
| Dielektrisk konstant (høj frekvens) | 9.11 |
| Effektiv elektronmasseml | 1.12mo |
| Effektiv elektronmassemt | 0,22mo |
| Effektive hulmassermh | 0.79mo |
| Effektive hulmassermlp | 0,14mo |
| Elektron affinitet | 3,8 eV |
| Gitter konstant | 5,4505 A |
| Optisk fonon energi | 0,051 |
| Tekniske parametre | |
| Tykkelse af hver komponent | 0,002 og 3 +/-10 % mm |
| Orientering | 110 - 110 |
| Overfladekvalitet | scr-grave 40-20 — 40-20 |
| Fladhed | bølger ved 633 nm – 1 |
| Parallelisme | bue min < 3 |
