GaSe krystaller
Ved at bruge en GaSe-krystal blev udgangsbølgelængden indstillet i området fra 58,2 µm til 3540 µm (fra 172 cm-1 til 2,82 cm-1) med spidseffekten nåede 209 W. Udgangseffekten af denne THz blev væsentligt forbedret. kilde fra 209 W til 389 W.
ZnGeP2 krystaller
På den anden side, baseret på DFG i en ZnGeP2-krystal, blev udgangsbølgelængden indstillet i områderne 83,1-1642 µm og 80,2-1416 µm for henholdsvis tofasetilpasningskonfigurationer. Udgangseffekten har nået 134 W.
GaP krystaller
Ved at bruge en GaP-krystal blev udgangsbølgelængden indstillet i området 71,1-2830 µm, mens den højeste spidseffekt var 15,6 W. Fordelen ved at bruge GaP over GaSe og ZnGeP2 er indlysende: krystalrotation er ikke længere nødvendig for at opnå bølgelængdetuning. , skal man bare indstille bølgelængden af en blandestråle inden for en båndbredde på så smal som 15,3 nm.
Til opsummering
Konverteringseffektiviteten på 0,1 % er også den højeste nogensinde opnået for et bordpladesystem, der bruger et kommercielt tilgængeligt lasersystem som pumpekilder. Den eneste THz-kilde, der kunne konkurrere med GaSe THz-kilden, er en fri-elektronlaser, som er ekstremt omfangsrig og bruger en enorm strøm.Ydermere kan udgangsbølgelængderne af denne THz-kilder indstilles i ekstremt brede områder, i modsætning til kvantekaskadelaserne, som hver kun kan generere en fast bølgelængde. Derfor ville visse applikationer, der kan realiseres ved hjælp af bredt afstembare monokromatiske THz-kilder, ikke være muligt, hvis man stoler på subpicosecond THz-pulserne eller kvantekaskadelasere i stedet for.
