Tm:YAP-krystaller

Rumgruppe:D162h (Pnma)

Gitterkonstanter (Å):a=5,307, b=7,355, c=5,176

Smeltepunkt (℃):1850±30

Smeltepunkt (℃):0,11

Termisk udvidelse (10^-6·K^-1): 4,3//a, 10,8//b, 9,5//c

Densitet (g/cm^-3): 4,3//a, 10,8//b, 9,5//c

Brydningsindeks:1,943//a, 1,952//b, 1,929//c ved 0,589 mm

Hårdhed (Mohs skala):8,5-9

WhatsApp Send e-mail til os Download som PDF

Produktdetaljer

Specifikation

Tm-doterede krystaller omfatter flere attraktive funktioner, der udpeger dem som det foretrukne materiale til solid-state laserkilder med emissionsbølgelængde, der kan indstilles omkring 2um.Det blev demonstreret, at Tm:YAG laser kan tunes fra 1,91 op til 2,15um.På samme måde kan Tm:YAP-laseren tuning variere fra 1,85 til 2,03 um. Det kvasi-tre-niveau system af Tm:dopede krystaller kræver passende pumpegeometri og god varmeudvinding fra de aktive medier. På den anden side drager Tm-doterede materialer fordel af en lang fluorescenslevetid, hvilket er attraktivt for højenergi Q-switched drift. Den effektive krydsafslapning med nabo Tm3+ ioner producerer også to excitationsfotoner i øvre laserniveau for én absorberet pumpefoton. Dette gør laseren meget effektiv med kvante effektivitet nærmer sig to og reducerer termisk belastning.
Tm:YAG og Tm:YAP fandt deres anvendelse i medicinske lasere, radarer og atmosfærisk sensing.
Egenskaberne for Tm:YAP afhænger af krystallernes orientering. Krystaller skåret langs 'a'- eller 'b'-aksen bruges mest.
Fordele ved Tm:YAP Crysta:
Højere effektivitet ved 2μm rækkevidde sammenlignet med Tm:YAG
Lineært polariseret udgangsstråle
Bredt absorptionsbånd på 4nm sammenlignet med Tm:YAG
Mere tilgængelig for 795nm med AlGaAs-diode end adsorptionstoppen for Tm:YAG ved 785nm

Grundlæggende egenskaber:

Space gruppe	D162h (Pnma)
Gitterkonstanter (Å)	a=5,307, b=7,355, c=5,176
Smeltepunkt (℃)	1850±30
Smeltepunkt (℃)	0,11
Termisk udvidelse (10^-6·K^-1)	4,3//a, 10,8//b, 9,5//c
Densitet (g/cm^-3)	4,3//a, 10,8//b, 9,5//c
Brydningsindeks	1.943//a,1.952//b,1.929//kat 0.589 mm
Hårdhed (Mohs skala)	8,5-9

Specifikationer:

Dopant indhold	Tm: 0,2~15at%
Orientering	inden for 5°
"avanceret forvrængning	<0.125A/inch@632.8nm
7od størrelser	diameter 2~10mm, Længde 2~100mm Jefter anmodning fra kunde
Dimensionstolerancer	Diameter +0,00/-0,05 mm, Længde: ± 0,5 mm
Tøndefinish	Slibet eller poleret
Parallelisme	≤10″
Vinkelrette	≤5′
Fladhed	≤λ/8@632.8nm
overfladekvalitet	L0-5(MIL-0-13830B)
Chamfer	3,15 ±0,05 mm
AR-belægningsreflektivitet	< 0,25 %